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IRLMS2002
2000
1600
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
10
8
5.3A
I D = 6.5A
V DS = 10V
Ciss
1200
800
400
Coss
6
4
2
0
1
Crss
10
100
0
0
4
8
12
16
20
24
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
T J = 150 ° C
10
1ms
1
T J = 25 ° C
T J = 150 C
0.1
0.4
0.6
0.8
V GS = 0 V
1.0        1.2
T A = 25 ° C
°
Single Pulse
1
0.1
1
10
10ms
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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